可飽和吸収層を有する低雑音・高出力半導体レーザ
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概要
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書き込み可能な光ディスク用光源として、高周波重畳回路不要で低雑音かつ高出力の半導体レーザが要望されている。我々は、低雑音化を図るため、活性層とバンドギャップがほぼ等しい可飽和吸収層を活性層近傍に導入し、さらに高出力化・低動作電流化を図るため、多重量子井戸構造の活性層ならびにGaAlAs電流ブロック調を採用したGaAlAsレーザを作製した。光出力20mWまで自励発振、最大光出力180mWの高出力特性をはじめて実現することができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-26
著者
-
林 伸彦
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)
-
新名 達彦
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
後藤 壮謙
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
井手 大輔
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
新名 達彦
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
新名 達彦
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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