高密度光ディスク用630nm帯赤色半導体レーザ
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概要
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AlGaInP半導体レーザは、高密度光ディスク用として、短波長, 低動作電流, 高温動作、及び低雑音特性が要求されている。我々は、630nm帯AlGaInP系赤色半導体レーザにおいて、初めて活性層に歪補償型MQW構造を導入することにより、シングルモード素子で、しきい値電流33mA, 自励発振型素子で、しきい値電流48mA, 相対雑音強度(RIN)7×10^<-14>Hz^<-1>以下の特性を実現することができた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1996-02-29
著者
-
別所 靖之
三洋電機株式会社アドバンストデバイス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)
-
新名 達彦
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
吉年 慶一
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
吉年 慶一
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
庄野 昌幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
別所 靖之
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
広山 良治
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
庄野 昌幸
三洋電機
-
新名 達彦
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
別所 靖之
三洋電機
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