低アスペクト比660nm高出力AlGaInP赤色半導体レーザ(<特集>光記録技術及び一般)

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概要

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端面窓構造を有する660nm帯AlGaInP半導体レーザにおいて、高出力化とレーザ光放射形状のアスペクト比の低減を同時に出現した。垂直方向の光閉じ込めを制御して垂直広がり角を変化させた場合の内部損失の検討結果に基づき、電流ブロック層にAlInP層を用いた実屈折率導波構造を採用した。アスペクト比1.65(垂直広がり16.5°/水平広がり角10°)の素子において、パルス駆動時に、キンクレベル〜160nW、最大光出力〜180mWを実現した。また、本素子は、60℃寿命試験において、光出力90mWでパルス駆動した場合、1500時間以上安定に動作することを確認した。
2001-09-14

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