耐熱性に優れたチャネルを有するプレーナ型TMT
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概要
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高濃度n-GaAs層のアニールによるキャリア濃度の減少にいて、ドーピング層の薄層化を行うことにより、その減少率を小さくできることを見いだした。また、この減少率がドーピング層のフェルミレベルに依存していることを示唆した。本アニール実験をもとに、耐熱性に優れた薄層GaAsチャネル(7x10^<18>cm^<-3>,9nm)をプレーナ型TMT (n^+層をイオン注入で形成)に適用して試作した結果、ゲート長0.2μmのTMTにおいて、相互コンダクタンスgm = 450 mS/mm、電流遮断周波数f_T = 72GHz、最大発振周波数fmax = 140GHz (寄生成分を含む)という優れた特性を得た。
- 1996-01-18
著者
-
澤田 稔
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松村 浩二
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
馬場 清一
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
藤井 栄美
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松下 重治
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松村 浩二
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 大二郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
馬場 清一
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 大二郎
三洋電機
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