プラスチックパッケージを用いたGaAs SPDTスイッチICの超小形・高アイソレーション化
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概要
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従来スイッチICのパッケージとして使用されているSO8に比較し、1/4以下の面積である超小形プラスチックパッケージに封止した状態で、1.65 GHzにおいてアイソレーション31 dB,挿入損失0.88 dBの高アイソレーションスイッチICを開発した。開発にあたり、電磁界シミュレーションを活用し、パッケージのリードピン間のアイソレーション特性を評価し、この特性劣化を考慮してチップ状態におけるICの仕様を決めた。また電磁界解析に基ずく配線ルールの決定により、チップサイズの小形化を図った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-19
著者
-
平井 利和
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
冨永 久昭
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
宇田 尚典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
宇田 尚典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
冨永 久昭
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
野川 薫
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
東野 太栄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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