超小形デュアルモード(アンテナ/ローカル)GaAs MESFETスイッチIC

概要

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我々はこれまでPHS用スイッチICに関して、トレードオフの関係を克服すべく開発した以下の技術を報告してきた。A.低電庄/高パワー伝送技術:2つのピンチオフ電圧のMESFETを用いることにより、低電圧動作で且つ高パワー伝送を実現した(アレフスイッチ構成)。これにより、0/-3v,+3/0v動作のアンテナスイッチICを開発した。B.小形/高アイソレーション技術:電磁界シミュレーションを利用することによって、SO8(Small Outline Package 8)の1/4の大きさのCP6(Chip Pack 6)(図1参照)を用いて30dBのアイソレーション特性を有するローカルスイッチICを開発した。C.低挿入損失/高アイソレーション特性技術:スイッチICのRFリードピン間にチップインダクタを1つ付加することで(図2参照)、実装面積をほとんど広げることなく、高アイソレーション化を図った。今回これらの技術を利用し、アンテナスイッチとしてもローカルスイッチとしても使用できるデュアルモードGaAs MESFETスイッチICを開発したので報告する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1996-03-11