GaAs MMICの低電圧・低電流化技術
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概要
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MMICの性能は、能動素子(トランジスタ)の性能に支配される要素が極めて大きい。このためGaAs MMICの低電力化には、これを実現できるMESFETの開発が不可欠になる。我々は、高活性化イオン注入RTA(ECR-PCVD法で堆積した2層SiN膜を用いたRapid Thermal Anneal)技術を適用した高性能なplanar型MESFET作製基本技術を確立し、パワーアンプやLNAなどの用途や性能などに合わせて構造の最適化を図っている。ここでは、PHS用に開発したパワーMESFET,10mWドライバーアンプIC及びNF≦1dBのLNA-ICの特長と低電圧化、低電流化について記す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-03-11
著者
-
西田 昌生
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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西田 昌生
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
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澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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