10Wクラス低歪み低損失FETスイッチIC
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概要
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FETスイッチは、近年移動体通信やミリ波パーソナル通信等の分野で、積極的に開発されている。しかし10Wを越える電力を扱えるスイッチは、低消費電力化が困難なダイオードを用いるものが主流である。本報告では、このようなハイパワーの分野でも、MESFETを用いて極めて低歪みなスイッチが作製できることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
宇田 尚典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
東野 太栄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
野川 薫
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
東野 太栄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
野川 薫
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 エナジーモジュール研究所
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