B-5-84 広帯域CDMA用DMFのVLSI化検討
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-07
著者
-
高山 憲久
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
山田 節
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
後藤 章二
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
伊藤 龍生
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
山田 節
三洋電機株式会社マテリアル・デバイス研究所
-
高山 憲久
三洋電機株式会社 半導体カンパニー
関連論文
- A-3-5 システムオンチップのIRドロップ検証
- A-3-12 配線グリッド構造の最適化による SoC の低消費電力化
- A-3-2 配線グリッドの3次元最適化によるクロストークの低減
- A-3-20 配線グリッド間隔の最適化によるクロストーク遅延変動の低減
- 80MHz帯域OFDM方式無線通信システムの検討とOFDM変復調回路の設計(スマートパーソナルシステム, 一般)
- A-3-5 クロックツリー形成前のクロック電力解析
- SA-1-2 システムオンチップの消費電力解析検討
- 新ヘテロ接合素子 : TMT(2モードチャネルFET)
- HDTV用シングルチップビデオプロセッサ
- ワンチップ15フレーム/秒メガピクセルリアルタイム画像プロセッサ
- ワンチップ15フレーム/秒メガピクセルリアルタイム画像プロセッサ
- GaAs MMICの低電圧・低電流化技術
- L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
- L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
- 利得可変MMICに通用した完全モノリシック負電圧発生IC
- マイクロ波電界効果トランジスタの雑音パラメ-タ新測定法
- 超小形デュアルモード(アンテナ/ローカル)GaAs MESFETスイッチIC
- プラスチックパッケージを用いたGaAs SPDTスイッチICの超小形・高アイソレーション化
- 小型・高アイソレーションSPDT Switch IC
- L帯-10Wクラス低歪み低損失FETスイッチIC
- Sパラメータを用いた線形GaAs増幅器の新設計法
- B-5-133 W-CDMA 用スクランブル符号生成器のハードウェア構成
- B-5-37 W-CDMA方式におけるセルサーチの特性評価
- B-5-84 広帯域CDMA用DMFのVLSI化検討
- B-5-83 広帯域CDMA方式拡散変調部のVLSI化検討
- DS-CDMA用低消費電力DMFの検討
- 衛星テレビジョン放送ディジタル音声QPSK復調LSI (部品・デバイス特集)
- D-6-3 同時マルチスレッディング対応レジスタファイルキャッシュアーキテクチャ
- 耐熱性に優れたチャネルを有するプレーナ型TMT
- 対称構造MESFETを用いたPHP用3V単一電源動作SPDT T/R MMICスイッチ
- ミリ波用ダイオ-ドをどう応用するか? (よみがえるミリ波--産業応用への展開) -- (デバイス編)
- 2. ミリ波・サブミリ波素子技術の発展 : 2.2 増幅器・伝送素子(ミリ波・サブミリ波計測の基礎と応用I)
- MMIC開発におけるマイクロ波回路シミュレーション技術の確立方法
- 10Wクラス低歪み低損失FETスイッチIC
- 電磁界シミュレーションによるプラスチックパッケージの新等価回路決定法
- 企業での製品設計開発
- ポリイミド膜の多層化MMICへの適用
- 低雑音GaAs MES FET