新ヘテロ接合素子 : TMT(2モードチャネルFET)

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概要

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高くて平坦な相互コンダクタンスgmを有する超低雑音新へテロ接合素子:Two-ModeChannel FET(TMT)を開発した。本素子はゲート印加電圧Vgsが深いときは、電子は主にアンドープのチャネルを走行し、Vgsが浅いときは、高濃度にドーピングされたチャネルを走行するという2つの電子走行モードを有する。TMTは-0.25〜+0.5VのVgsの範囲で平坦なgm特性を有し、gmの最大値は535mS, mmであった。最少雑音指数NFminと付随利得は、中間及び高ドレイン電流Ids領域でAlGaAs/GaAs pseudomorphic HEMT(P-HEMT)にほぼ等しく低Ids領域では、P-HEMTを上回った。さらに、優れたNFminを示す低Ids領域に対応するバイアス条件下では、TMTはP-HEMTより大きな電子移動度、gm,ゲート・ソース間容量、及び優れた電子閉じこめ効果を有することが分かった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-01-21

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