L帯-10Wクラス低歪み低損失FETスイッチIC
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概要
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GaAsMESFETスイッチICのTAT短縮のために、用いるFET特性を既存データとデバイスシミュレーションを使用して事前に予測し、このデータを用いてICの設計・試作を行った。この予測手法は、MESFETの5段接続の回路構成において良く一致し、1.9GHzにおいて、Po(1dB)が12.6W以上、10W入力時の第2,第3高調波抑圧比が70dBcを越える低歪みなスイッチICが試作できた。更にチップ厚を通常より厚い450μmとすることにより、挿入損失0.9dBを得た。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-05-25
著者
-
寺田 聡
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
宇田 尚典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
宇田 尚典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
野川 薫
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
東野 太栄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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