L帯小型・超低雑音MMIC増幅器
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概要
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利得や雑音特性を劣化させず、イオン注入プレーナ型GaAsMESFETの入出力のインピーダンスを低減することにより、L帯超小型・超低雑音MMIC増幅器を開発した。本ICは、1.9GHz、3V、20mAにおいて、雑音指数1.0dB、利得13.5dBを有し、また、チップサイズも1.1mmX0.9mmと非常に小さく、小型プラスチックパッケージ(CP6)に装着されている。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-01-18
著者
-
平井 利和
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
山口 勤
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
西田 昌生
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
村井 成行
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
西田 昌生
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
村井 成行
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
原田 八十雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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