2. ミリ波・サブミリ波素子技術の発展 : 2.2 増幅器・伝送素子(<講座>ミリ波・サブミリ波計測の基礎と応用I)
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概要
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Technology trends and the present status of mm-wave transistors and MMICs are reviewed. The low-noise performance of HEMTs and MMICs has been improved rapidly, lowering the noise figure to 1-2 dB for HEMTs and 〜4 dB for MMICs at the 90 GHz band. High-power performance, however, has not been significantly improved, and the output power level is 〜100 mW for HEMTs at the 90 GHz band and 〜200 mW for MMICs at the 50 GHz band. Multilayer MMICs for size reduction in transmission circuit elements are also described.
- 1995-01-25
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