対称構造MESFETを用いたPHP用3V単一電源動作SPDT T/R MMICスイッチ

概要

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1.9GHz帯デジタル携帯電話機用0, -3V,+3/0V単-電源動作SPDT T/R MMICスイッチを開発した。GaAs MESFETのレイアウトパターン及び素子構造をゲート電極に対して完全対称とすることにより、接地容量を含めたスイッチングFETの正確な等価回路の評価を実現し、高精度なMMICスイッチのシミュレーションを可能にした。更に、異なる2種類のピンチオフ電圧のMESFETを用いてSPDT回路を構成することにより低損失と高アイソレーションを同時に実現した。0/-3Vスイッチの送信/受信時のインサーションロスは、それぞれ0.55/0.65dB,アイソレーションは、31/24dBである。+3/0Vスイッチのインサーションロスは、0.73/0.94dB,アイソレーションは、27/23dBである。両スイッチICとも、25.4dBmの1dBコンプレションポイント(P1dB)、45dBm以上の3rdオーダインターセプトポイント(IP3)を得た。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-02-18