プレーナ型TMTのX帯発振器への応用
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概要
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近年のデジタルマイクロ波通信技術の進展に伴い, 発振器の重要性がますます高まっている。発振器に使用される能動素子には優れた位相雑音特性が得られるHBTが適していると考えられるが, 一方で, その作製には複雑なウェハ構造やプロセスが必要となっている。そこで, 今回, 我々はFET系で独自に開発したヘテロ接合素子で, かつ, 素子作製の簡便なプレーナゲート構造を有するTMT(T__-wo-M__-ode channel FET__-:TMT)を用いた発振器の検討を行い, 良好な位相雑音特性が得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
平井 利和
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)
-
澤井 徹郎
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
藤井 栄美
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松下 重治
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 大二朗
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
茨木 晃
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
澤井 徹郎
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
-
井上 大二郎
三洋電機
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