井上 大二朗 | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

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概要

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• 井上 大二朗

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 庄野 昌幸

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 庄野 昌幸

  三洋電機

• 井上 大二郎

  三洋電機

• 亀山 真吾

  三洋電機株式会社アドバンストデバイス研究所

• 平井 利和

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 上田 康博

  三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室

• 澤田 稔

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 茨木 晃

  三洋電機(株)

• 澤井 徹郎

  三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所

• 藤井 栄美

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 松下 重治

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 茨木 晃

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 広山 良治

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 澤井 徹郎

  三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所

• 田尻 敦志

  三洋電機(株)技術開発本部 マテリアル・デバイス技術開発センタービジネスユニット

• 亀山 真吾

  三洋電機(株)技術開発本部 マテリアル・デバイス技術開発センタービジネスユニット

• 廣山 良治

  三洋電機(株)技術開発本部 マテリアル・デバイス技術開発センタービジネスユニット

• 野村 康彦

  三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所

• 井上 大二朗

  三洋電機

• 野村 康彦

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• 上田 康博

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著作論文

• プレーナ型TMTのX帯発振器への応用
• 低アスペクト比660nm高出力AlGaInP赤色半導体レーザ(光記録技術及び一般)
• 低電流動作200mW高出力AlGaInP赤色レーザ

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