野村 康彦 | 三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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野村 康彦
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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野村 康彦
三洋電機
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庄野 昌幸
三洋電機
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畑 雅幸
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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狩野 隆司
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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野村 康彦
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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庄野 昌幸
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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畑 雅幸
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
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井上 大二郎
三洋電機
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井上 大二朗
三洋電機株式会社アドバンストデバイス研究所
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別所 靖之
三洋電機株式会社アドバンストデバイス研究所
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森下 義隆
光技術研究開発株式会社
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野村 康彦
光技術研究開発株式会社
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五島 滋雄
光技術研究開発株式会社
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別所 靖之
三洋電機
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片山 良史
光技術研究開発株式会社つくば研究所
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井須 俊郎
三菱電機 中研
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広山 良治
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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井須 俊郎
三菱電機株式会社中央研究所
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上田 康博
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
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井須 俊郎
三菱電機株式会社先端技術総合研究所
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澤田 稔
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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松山 勇
光技術研究開発株式会社
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畑 雅幸
光技術研究開発株式会社つくば研究所
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渡辺 明禎
光技術研究開発株式会社つくば研究所
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山口 勤
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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井上 大二朗
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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庄野 昌幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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山口 勤
三洋電機株式会社 フロンティアデバイス研究所
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上田 康博
三洋電機(株)半導体研究所
著作論文
- MOMBE法を用いたラテラルエピタキシによるGaAs量子細線構造の作製とその評価
- III-V族化合物半導体成長のμ-RHEED実時間観測
- 29p-C-3 μ-RHEED法によるGaAs成長表面の実時間観測
- 低アスペクト比660nm高出力AlGaInP赤色半導体レーザ(光記録技術及び一般)
- 記録型次世代DVD用高出力青紫色レーザ
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 光ディスク用高出力青紫色半導体レーザ(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- GaN基板上に成長した高出力青紫色半導体レーザ(光記録・一般)
- 高速記録CD-R用高出力赤外半導体レーザ (ディジタル情報家電特集(2))
- 記録型次世代DVD用高出力青紫色レーザ (Harmonious Society特集)