GaN基板上に成長した高出力青紫色半導体レーザ(光記録・一般)

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概要

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次世代光ディスク用光源として青紫色レーザの高出力化、低ノイズ化が求められている。我々は、GaN基板の採用および導波路内の光閉じ込め最適化により、高出力・低ノイズ青紫色レーザを開発した。電流-光出力特性として、光出力250mW(室温、連続発振)までキンクフリーの特性を得た。また、光出力100mW(60℃、パルス駆動)において1000時間以上安定に動作することを確認した。さらに、実用上必要とされるノイズレベルを満足する-130dB/Hz以下(5mW動作時)の低ノイズ特性を達成した。本素子は、次世代光ディスクシステムのさらなる大容量化を実現する2層記録システム用光源として有望である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2004-09-03

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