SiC青紫色発光ダイオードの製法と特性
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概要
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4H形SiC基板結晶上に液相成長法を用いて, 脚接合を形成し, 青紫色LEDを試作した。発光ピーク波長及び半値輻はそれぞれ420nm, 40nmであり, 発光色は澄んだ青紫色であつた.この青紫色LEDは, 標準光源などの発光デバイスとしての利用とともに, 小型・軽量で使い易い高エネルギー光源としての応用も可能であろう.今後の課題は, 光度を上げること, あるいは結晶多形の制御を確実にして他の多形の混在を防ぐ技術の開発であろう.また, 4H形単結晶では不純物の制御によっては, より短波長 (400nm以下) 発光のLEDの得られる可能性があり, これらの研究を進めていくことも重要であろう。
- 日本真空協会の論文
著者
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上田 康博
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
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古賀 和幸
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
松下 保彦
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
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上谷 高弘
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
山口 隆夫
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
新名 達彦
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
-
中田 俊武
三洋電機(株)半導体研究所
-
藤川 好晴
三洋電機(株)半導体研究所
-
山口 隆夫
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
中田 俊武
三洋電機
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新名 達彦
三洋電機(株) マイクロエレクトロニクス研究所
-
古賀 和幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所基礎材料研究室
-
上田 康博
三洋電機(株)半導体研究所
-
新名 達彦
三洋電機(株)ULSI研究所
-
松下 保彦
三洋電機(株)半導体研究所
-
上谷 高弘
三洋電機(株)半導体研究所
-
山口 隆夫
三洋電機(株)半導体研究所
-
古賀 和幸
三洋電機(株)半導体研究所
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