SiC単結晶成長と青色発光ダイオード(<特集>機能素子・部品と単結晶育成)
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概要
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Recent work on the single crystal growth of SiC ingots and epitaxial techniques for producing blue light emitting diodes (LEDs) are reviewed. 6H-SiC ingots have been reproducibly obtained using a sublimation method. Their quality is suitable for the substrate of a SiC blue LED. The degradation phenomenon of SiC blue LED under operation was eliminated by liquid phase epitaxy using an off-oriented substrate. The uniformity of and crystalinity of the epitaxial layer has been improved with an off-oriented substrate. The characteristics of blue LEDs and their applications are also reported. The typical luminous intensity of the blue LED is 12-15 mcd at 20mA. The peak wavelength of the LED is about 470 nm. SiC blue LEDs have been put on the market due to recent progress in crystal growth.
- 日本結晶成長学会の論文
- 1990-11-15
著者
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古賀 和幸
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
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山口 隆夫
三洋電機(株)半導体研究所光エレクトロニクス研究部半導体材料研究室
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山口 隆夫
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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古賀 和幸
三洋電機 マイクロエレクトロニクス研究所
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古賀 和幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所基礎材料研究室
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