凝固過程制御によるエキシマレーザアニールpoly-Si
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概要
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従来のエキシマレーザアニール法によるp-Siは,粒径が数百Å程度と小さく,移動度も100cm^2/Vs程度であった.我々は,これまで考慮されていなかった溶融Siの凝固過程制御について着目し,これら問題が,凝固速度が早すぎるためと考えた.その解決策として,まず,熱解析シミュレーションにより,レーザ照射時の基板加熱(400℃)と出発材料であるa-Siの薄膜化(500Å)が溶融Siの凝固速度を大きく低減できるファクタであることを見いだした.この解析に基づいて,大粒径(最大約5000Å)かつ高移動度(280cm^2/Vs)のエキシマレーザアニールp-Siを実現した.更に,レーザ重複部におけるp-Siの特性の不均一性について解析を行い,レーザスポット端部に発生する微小p-Siとa-Siの混合領域が完全に再溶融しないことが,その原因であることを見いだした.このレーザ重複部の均一化にも本凝固過程制御法を用いることが有効で,移動度の不均一性を±20%から±8%へと向上できた.以上のように,本手法は大面積p-Si低温形成技術として有用であることを明らかにした.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-25
著者
-
中野 昭一
三洋電機(株)
-
中野 昭一
三洋電機株式会社ニューマテリアル研究所
-
桑原 隆
三洋電機
-
能口 繁
三洋電機株式会社
-
桑原 隆
三洋電機株式会社
-
栗山 博之
三洋電機株式会社,株式会社ジーティシー
-
花房 寛
三洋電機株式会社
-
木山 精一
三洋電機株式会社,株式会社ジーティシー
-
中野 昭一
三洋電機
-
中野 昭一
三洋電機株式会社・機能材料研究所
-
中野 昭一
三洋電機株式会社 ニューマテリアル研究所
-
栗山 博之
三洋電機株式会社研究開発本部
-
木山 精一
(株)三洋電機
-
木山 精一
三洋電機株式会社 株式会社ジーティシー
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