コンタクトホールエッチングのSi表面へのダメージ
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概要
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Si LSIにおけるコンタクトホールエッチングには、水素を含むフロロカーボンガスプラズマが広く用いられている。このエッチングにおけるSi表面へのダメージの中で、SiC化ダメージ及び水素侵入ダメージのコンタクト抵抗への影響について検討した。水素侵入ダメージがSiの比抵抗を増大させ、金属-Si間のコンタクト抵抗の増加を招くことを明らかにした。さらに、エッチング後に、400℃,30秒の低温RTAを施すことにより、水素を効果的に除去することができ、コンタクト抵抗を低減できることを見い出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-08-17
著者
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武田 薫
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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池田 典弘
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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井上 恭典
三洋電機(株)
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市橋 由成
三洋電機株式会社 技術開発本部 マテリアルデバイス技術開発 センタビジネスユニットアドバンストデバイス部 プロセス技術グループ
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周藤 祥司
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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豆野 和延
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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井上 恭典
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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山下 富生
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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井上 恭典
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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豆野 和延
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー 有機el事業化プロジェクト
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市橋 由成
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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周藤 祥司
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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