MOS構造へのイオン注入に起因する酸化膜ダメージの評価

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概要

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アンテナMOSキャパシタにイオン注入を行った場合の酸化膜ダメージおよび熱処理による回復をQ_bd>法を用いて評価した。また、電流電圧特性及びESR,FTIR-ATR解析との関連性について調べた。チャージダメージと同時にイオン照射ダメージを受けた酸化膜のQ_bd>は900℃の熱処理によってある程度回復した。ESR分析では、酸素空孔に起因するE'中心が観測された。FTIR-ATRでは、酸化膜の極表面において、SiO_x(X2)に見られるSi-Oの伸縮振動が観測された。電流電圧特性からは欠陥に起因した伝導が観察された。一方、チャージダメージのみの場合は、熱処理によるQ_bd>の回復は見られなかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
1994-11-25

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