ビアホールエッチングによる高融点金属の変質とコンタクト特性
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概要
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ビアコンタクト抵抗が第1積層配線の上層材料に依存することを明らかにし,その原因となるビアホールエッチングによる高融点金属表面の変質について検討した.Ti表面にフロロカーボンプラズマを照射すると,主にTiOx, TiFxからなる浅い変質層とTiCxからなる深い変質層とが形成される.レジスト剥離の酸素プラズマ処理によりTiCxは消失するが,TiOxおよびTiFxから成る変質層はTiCxが存在した深さまで厚くなる.このTiOxおよびTiFxからなる変質層は高低抗な層であり, Arスパッタエッチングにより除去すると, TiNと同程度のビアコンタクト抵抗が得られることを見出した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-10-20
著者
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武田 薫
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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池田 典弘
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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市橋 由成
三洋電機株式会社 技術開発本部 マテリアルデバイス技術開発 センタビジネスユニットアドバンストデバイス部 プロセス技術グループ
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周藤 祥司
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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豆野 和延
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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豆野 和延
三洋電機(株)セミコンダクターカンパニー 有機el事業化プロジェクト
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市橋 由成
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
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周藤 祥司
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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