スプリットゲート型フラッシュメモリのカップリング係数測定における制御ゲート適正電圧の設定

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概要

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スプリットゲート型フラッシュメモリでコントロールゲート(CG)とフローティングゲート(FG)のカップリング係数を求める方法として、サブスレッショルドスロープメソッドが広く用いられている。今回我々は、この測定を正しく行うには、CG電圧(V_<CG>)、CGトランジスタの閾値電圧(V_<tCG>)、ドレイン電圧(V_D)がV_<CG><V_>1CG>+V_Dを満足する領域で行わねばならないことを実験的に示した。CGはV_DをFGのドレイン側にまで充分伝えるだけでなく、測定範囲においては、V_<CG>を変えてもFGのドレイン側における電子濃度を充分低い状態のまま変えないことが必要である。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-03-08

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