イオン注入法を用いたレジスト改質 : フォトレジストのドライエッチング耐性の向上

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概要

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レジストパターンにイオン注入をすると、アルミ合金のドライエッチングにおける対レジスト選択比が向上することがわかった。イオン注入後のフォトレジストの分子構造をラマン分光分析によって解析すると、レジスト表面層がダイヤモンド状炭素膜構造に変化していることがわかった。この改質層が、ドライエッチイング中のスパッタリングに対して耐性を有しているものと考えられる。対レジスト選択比は、ドーズ量や加速エネルギーに依存し、イオン種にはあまり依存しなかった。P^+のドーズ量が1.0×1O^<16>cm^<-2>、加速エネルギーが150keVの時に、対レジスト選択比は7.5という値に達した。これは、イオン注入なしの場合の約5倍大きな値である。この結果は、今回の改質方法がレジストの薄膜化を可能とし、配線の微細化及び多層化に有効な手段であることを示している。
社団法人電子情報通信学会の論文
1995-08-17

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