電荷増倍型CMOSイメージセンサの開発(固体撮像技術および一般)
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概要
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10μm画素ピッチ、11万画素の電荷増倍型CMOSイメージセンサを開発した。本センサは、各々の画素において光電変換された信号電荷に対し、インパクトイオン化を繰り返し行うことで電荷増倍することを特徴とする。100μsの期間で約60倍の電荷増倍を行い、低照度環境下の撮像におけるSN比向上を実証した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-03-19
著者
-
大野 俊和
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
有本 護
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
中島 勇人
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
能勢 悠吾
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
渡邉 敬輔
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
大山 達史
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
清水 竜
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
能勢 悠吾
三洋電機株式会社
-
実沢 佳居
三洋電機株式会社 マイクロエレクトロニクス研究所
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