アクティブ・パッシブ画素値読み出し方式を併用したCMOSイメージセンサにおける画像再構成手法とS/Nの検討(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
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概要
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画素内にオーバフロー構造をもつCMOSイメージセンサにおいて,入射光量に応じて画素単位でアクティプ・パッシツ方式を切り替えることで,ダイナミックレンジを拡大する方法を検討している.この方式では,オーバフロー容量として用いるMOS容量の電荷読み出しにおいて,各列に設けたチャージアンプを利用することで,MOS容量の非線型性の影響を受けず広い電圧範囲を読み出し,ダイナミックレンジを拡大できる.本報告では,イメージセンサ出力を外部から印加した2種類のテスト電圧によりキャリブレーションすることで,アクティブ・パッシブ方式の読み出し画素値が画素単位で混在した1枚の画像から,広ダイナミックレンジ画像を再構成する方法について検討する.アンプノイズ,A/D変換器の量子化ノイズ,キャリブレーションにおける平均化回数が再構成画像のS/Nに与える影響を評価する.
- 2007-07-19
著者
-
香川 景一郎
大阪大学大学院情報科学研究科
-
能勢 悠吾
三洋電機株式会社 研究開発本部 アドバンストデバイス研究所
-
香川 景一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:jst Crest
-
能勢 悠吾
三洋電機株式会社
-
谷 邦之
三洋電機株式会社
-
和田 淳
三洋電機株式会社
-
香川 景一郎
大阪大学 大学院 情報科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
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