17-1 低電圧ソース変調型パルス幅変調方式CMOSイメージセンサの特性評価(第17部門 情報センシング2)
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概要
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We are developing a CMOS image sensor suitable for low voltage driving using source-voltage modulation. In this sensor, voltage change at photodiode caused by the incident light is converted into the pulse width by applying a ramp-shaped waveform to the source node of the pixel amplifier to modulate its threshold voltage. Image acquisition by this sensor was verified.
- 2006-08-01
著者
-
香川 景一郎
大阪大学大学院情報科学研究科
-
香川 景一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
佐々木 達也
産総研・技術情報部門
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
佐々木 達也
奈良先端科学技術大学院大
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