変調光検波方式イメージセンサの画質改善の検討(高機能イメージセンサ)
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概要
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変調光検波をイメージセンサで実現する方法として、1画素内に2つの電荷蓄積部を有する新しい画素回路方式を提案している。変調光の強度変調に同期して、変調光成分・定常光成分を振り分けて蓄積し、2つの出力差をとることで変調光成分のみを検出することができる。基本動作を実証するため、64×64 アレイを試作・評価を行った。この結果、背景光の影響を除去し、変調光成分のみによる画像を得ることができた。一方、寄生のn^+拡散層や拡散キャリアの影響により、ダイナミックレンジが狭くなる問題が明らかになった。これらの問題を解決するため、寄生のn^+拡散層へのリセットTrの取り付けや、横型オーバーフロードレインを導入した画素TEGを試作した。実験結果より、ダイナミックレンジを拡大することができた。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2002-06-21
著者
-
香川 景一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
渡辺 國寛
マイクロシグナル株式会社
-
山本 幸司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
山嵜 康司
マイクロシグナル株式会社
-
山田 雅史
マイクロシグナル株式会社
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
山本 幸司
奈良先端科学技術大学院大学
-
山田 雅司
マイクロシグナル株式会社
-
杉下 正蔵
マイクロシグナル株式会社
-
山嵜 康司
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
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