裏面キャリヤ注入を用いたCMOSイメージセンサへのアイセーフ光検出機能付加(<小特集>イメージセンシング技術とその応用)

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概要

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• We propose Si-CMOS image sensors that can detect near infrared (NIR) light, including the eye-safe region (λ: 1.4-2.0μm). The capability of the sensor to capture visible images remained completely intact. The proposed sensor consisted of a conventional Si complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor and a Ge photodiode (PD) array formed underneath a CMOS image sensor. The operation principle for NIR detection was based on photo-carrier injection into the Si-substrate from the Ge PD. A process to form n-regions on the reverse of a fabricated CMOS sensor is also discussed.

• 社団法人映像情報メディア学会の論文
• 2006-03-01

著者

• 徳田 崇

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 香川 景一郎

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 布下 正宏

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科

• 森 大輔

  奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)ソニーlsiデザイン株式会社

• 布下 正宏

  奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科

• 太田 淳

  奈良先端科学技術大学院大

• 徳田 崇

  奈良先端科学技術大学院大学

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