GeC/SiへのC取り込みに対する低温成長とIBADの効果(<小特集>III族窒化物研究の最前線)
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概要
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GeC/Si(001)の置換位置C組成増大を目的として、MBE法による非平衡結晶成長を強調するために、成長温度の低温化とAr^+イオン照射によるIBAD(Ion Beam Assisted Deposition)を試みた。XRDとラマン分光測定の結果から成長温度の低温化が置換位置C組成増大だけでなく、Cクラスターの抑制に効果があることがわかった。多結晶化した成長温度丁、T_s≤350℃でも高い置換位置C組成を得た。IBADの効果として、Af^+イオンの加速電圧が200Vのとき置換位置C組成の増大と結晶性の向上が可能であった。
- 2002-05-17
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
宮武 耕志
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
理化学研究所ナノサイエンス研究技術開発・支援チーム
-
浜名 康全
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浜名 康全
浜松ホトニクス株式会社
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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