SOI基板上SiGe/Siを用いて作製したマイクロオリガミ構造の評価(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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SOI基板上SiGe/Siを用いたマイクロオリガミ構造の作製を行った。SOI基板上に形成したSi/SiGe系歪構造を、SOI基板のBOX層を犠牲層としてリリースすることに成功した。マイクロオリガミ構造におけるヒンジ部の曲率半径は歪に依存し、マイクロオリガミ技術を用いて精密な3次元MEMS構造を作製するには歪量制御が必要となる。本研究では、SiGe層のGe量、膜厚を変化させることで歪量の異なるマイクロチューブを作製し、それらをレーザラマン分光法により評価を行った。また、ヒンジ部と平坦部の作り分けも試みた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-12-12
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
森 大輔
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)ソニーlsiデザイン株式会社
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
Vaccaro Pablo
Atr適応コミュニケーション研究所
-
斎藤 信雄
Atr適応コミュニケーション研究所
-
坂野 佳久
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
久保田 和芳
ATR適応コミュニケーション研究所
-
田村 修一
ATR適応コミュニケーション研究所
-
Wang Hailong
ATR適応コミュニケーション研究所
-
Wang H
Atr適応コミュニケーション研究所
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
坂野 佳久
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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