Si(001)およびGe(001)基板上Ge_<1-x>C_x混晶の結晶学的・光学的特性
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概要
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Ge_<1-x>C_x混晶の置換位置C組成の増大とバンド構造の直接遷移化を目指し、C分子線源としてアークプラズマガンを用いてSi(001)とGe(001)基板上にGe_<1-x>Cx混晶を成長した。Ge_<1-x>C_x/Si(001)をRHEED、XRD、ラマン分光法により評価した結果、供給C組成3%では最適な成長温度は400℃であり、成長速度の増大、基板とエピタキシャル層間の歪制御により置換位置C組成を増大できる可能性を示した。また、分光エリプソメトリによる誘電率測定の結果から、Ge_<1-x>C_x/Si(001)についてC組成の増大に伴い、E_1吸収構造のエネルギーが高エネルギー側にシフト(+25meV/%)することを確認した。
- 2001-10-04
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
理化学研究所ナノサイエンス研究技術開発・支援チーム
-
浜名 康全
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浜名 康全
浜松ホトニクス株式会社
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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