SiGe-BiCMOSプロセスを適用したイメージセンサ
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概要
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波長1.4〜1.8μmアイセーフ帯光検出を目的としたSiGe受光部を有するイメージセンサの検討を行った。作製プロセスとしてRF用途として用いられる標準SiGe-BiCMOSプロセスを適用した。ベース層にSiGeを用いたヘテロフォトトランジスタを受光素子とした32×32画素イメージセンサの試作を行い, 基本特性の確認を行った。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-03-16
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
時田 直幸
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
時田 直幸
三菱電機(株)通信機製作所
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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