BiCMOSプロセスを用いた発光素子集積型イメージセンサの基礎検討(<小特集>イメージセンシング技術とその応用)
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概要
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We have fabricated and demonstrated fundamental characteristics of an image sensor integrated with Si-LED using standard SiGe-BiCMOS process technology. Two types of LEDs, avalanche and Zener, were fabricated, in terms of breakdown mode. The avalanche type LED was found to have better emission efficiency. We also studied the dependence of the distance between LED and APS on the discharge characteristics of the APS and found that over 500μm is required to suppress the effect from the LED.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2003-03-01
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
香川 景一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
飯盛 慶一
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
中山 裕勝
オムロン株式会社
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
飯盛 慶一
奈良先端科学技術大学院大学
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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