BiCMOSプロセスを用いた発光素子集積型イメージセンサ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
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概要
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汎用SiGe-BiCMOSプロセスを用いて試作したSi-LEDを集積化したイメージセンサに関して報告する.試作したLEDは逆バイアス印加型であり,接合部濃度構成によりブレークダウン機構がZennerブレークダウンとアバランシェブレークダウンとに分類され,アバランシェ型LEDの方が発光効率が高いことが分かった.このLEDをAPS(Active Pixel Sensor)と集積化した素子を試作し,LED-APS間距離がAPS放電特性に及ぼす影響を調べ500μm以上の距離があればAPS放電特性には殆ど影響しないことが分かった.
- 2002-09-26
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
香川 景一郎
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
飯盛 慶一
奈良先端科学技術大学院大学
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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