MOSキャパシタを用いたPWMイメージセンサの基本特性評価(固体撮像技術および一般)
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概要
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我々は,様々な機能回路と集積でき,低電圧駆動かつ良好な画質が得られるCMOSイメージセンサの開発を行っている.従来のCMOSイメージセンサにおいて,電源電圧を下げることは性能の劣化に繋がるため低電圧化が困難であった.そこで,フォトダイオード電位にMOSキャパシタを用いてランプ電位を加算し,画素内のソース接地型コンパレータによってパルス幅に変換して読み出すパルス幅変調方式CMOSイメージセンサを開発した.本報告では0.35μmプロセスを用いて試作したセンサの基本特性評価に関して述べる.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2009-03-19
著者
-
香川 景一郎
大阪大学大学院情報科学研究科
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:jst Crest
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:jst Crest
-
徳田 崇
大阪大学 大学院医学系研究科脳神経感覚器外科学(眼科学)講座
-
香川 景一郎
大阪大学 大学院 情報科学研究科
-
田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
-
澤村 茂樹
奈良先端科学技術大学院大学
-
香川 景一郎
大阪大学
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学, JST-CREST
-
笹川 清隆
奈良先端科学技術大学院大学:JST-CREST
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