C分子線源にアークプラズマガンを用いたGeC混品のMBE成長
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概要
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新しいC分子線源としてアークプラズマガンを分子線エピタキシー(MBE)に導入し、C分子線の特性とGe基板上に成長したGeCエピタキシャル膜の結晶性評価を行った。分子線の評価より、デバイス特性に悪影響を与える粒径がμm程度のマクロパーティクルは1mm^2に0〜1個以下であった。また, SiならびにGe基板上のC膜では界面付近でSi-C、Ge-C結合が優先的に生じており, アークプラズマガンがGeC混晶成長のC分子線源として有効である事を確認した。Ge基板上のGeC成長においては、供給したC原子がほぼすべて混晶内に取り込まれ、アークプラズマガンの利用により、高いC組成をもつGeC混晶成長が可能である事を示した。
- 2001-05-18
著者
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
布下 正宏
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
沖仲 元毅
理化学研究所ナノサイエンス研究技術開発・支援チーム
-
浜名 康全
奈良先端科学技術大学院大学 物質創成科学研究科
-
浜名 康全
浜松ホトニクス株式会社
-
太田 淳
奈良先端科学技術大学院大
-
段床 亮一
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科
-
段床 亮一
奈良先端科学技術大学院大学物質創成科学研究科:(現)ソニー(株)
-
徳田 崇
奈良先端科学技術大学院大学
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