多結晶Si薄膜トランジスタの高性能化と高精細LCDライトバルブへの応用
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概要
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固相成長(SPC)により作製したpoly-crystalline silicon(poly-Si)薄膜にエキシマレーザアニール(ELA)、及び熱処理(PHT)を施すことにより、低結晶欠陥密度の薄膜が得られた。この薄膜を活性層に用いたn-ch poly-Si TFTを作製し、電界効果移動度(μ_<FE>)=325cm^2/V・s, 閾値電圧(V_<TH>)=0.15V, サブスレッシュホルドスイング(S値)=0.08V/dec.を達成した。このTFTで構成したドライバー体型高精細の液晶ライトバルブを試作し、ゴーストの無い、高コントラスト比(=900:1)の映像を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-13
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
長谷川 勲
三洋電機(株)マテリアル・デバイス研究所
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