極薄誘電体膜トンネル現象のMOSトランジスタへの応用
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概要
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チャネル両端に極薄誘電体膜をもち, 電子移送にトンネリング現象を応用する新規構造のMOSトランジスタ(T-MOST:Tunneling-MOS transisitor)について理論的検討を行った.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-02-25
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
三好 正毅
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
三浦 隆司
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
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