SiN薄膜上に形成されたエキシマ・レーザ・アニール法によるpoly-Si薄膜の結晶性
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概要
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本研究においては、PE-CVD法を用いてSiO_2/SiN/glass上に作製したa-SiをELA法によって再結晶化したpoly-Si薄膜の結晶性について調査した。SiN基板上のpoly-Si薄膜の結晶性は従来基板上のpoly-Siよりも良い。ラマンピークシフトや半値全幅は、200〜400mJ/cm^2、8〜100ショットのどの条件においてもほぼ均一であった。a-Si内の水素が、ELA法による再結晶化poly-Siの結晶性に影響を与えていると推測される。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-12
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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