a-Siのエキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化poly-Siの検討 : 薄膜中に含有された水素を考慮して
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概要
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SiO_2/SiN/glass基板(SiN基板)上に、プラズマ誘起化学気相蒸着(plasma enhanced chemical vapor deposition, PE-CVD)法により、a-Siを堆積させた後、エキシマ・レーザ・アニーリング(excimer laser annealing, ELA)をおこなうことにより作製した多結晶Si(polycrystalline silicon, poly-Si)について調べた。SiN基板上のpoly-Si薄膜の結晶性は、石英基板(quartz基板)の上に減圧CVD(low pressure chemical vapor deposition, LPCVD)法で形成したものと比べて良い結晶性を示した。SiN基板上に形成されたpoly-Siの粒径はquarts基板上のものよりも小さかった。これらの違いは、結晶成長機構の違いによるものであると考えられる。SiN基板上のpoly-Si中の応力は、quartz基板と比べて小さかった。SiN基板中の結晶成長機構については、poly-Si上の水素が重要な役割を演じていると考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-29
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
阿部 寿
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
阿部 寿
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
宮井 良雄
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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