ELA法により形成されたpoly-Si薄膜のグレインの変化
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概要
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本研究においては、ELAのエネルギー密度が200〜400mJ/cm^2におけるpoly-Siの結晶成長について調査した。レーザー密度200mJ/cm^2においては、我々の提案している転移論に基づく結晶成長機構により理解できる。400mJ/cm^2においては過冷却液体の結晶化による結晶成長がみられた。250〜350mJ/cm^2においては、その中間領域となり、低エネルギー密度においてみられる結晶領域と過冷却によると考えられるディスク状結晶領域が観察された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-04-14
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
綾 洋一郎
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
田口 亮平
山口大学工学部
-
納田 朋幸
三洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
納田 朋幸
三洋電機
-
浜田 弘喜
三洋電機(株)デジタルシステム研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
田口 亮平
山口大学工学部電気電子工学科
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