Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(SRTMOST)のダブルバリヤ/Si界面障壁高さに関する考察 : ゲート長との関係
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概要
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Si共鳴トンネリングMOSトランジスタ(Si resonant tunneling MOS transistor: SRTMOST)のゲート長をナノメートル範囲において小さくした場合の動作電流とゲート無印加状態での価電子帯のトンネル電流を計算した.この結果をもとに, ダブルバリヤ/Si界面の障壁高さの値を検討した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-04-01
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大
-
北川 康範
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
兵庫県大
-
高見 義則
山口大学工学部電気電子工学科
-
浜田 弘喜
山洋電機株式会社マイクロエレクトロニクス研究所
-
北川 康範
山口大
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