チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
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概要
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薄膜トランジスタ(thin mm transistor, TFT)において,ゲートオフ時のソース・ドレーン間に流れる電流を減少させることは重要である.本研究では,チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFT,トンネリング誘電体TFT (tunneling dielectric TFT, TDTFT)を提案し,シミュレーションによってその動作特性を検討した.TDTFTにおけるゲートオフ時のドレーン電流(I_<off>),ドレーン電流・ドレーン電圧特性及び相互コンダクタンスについて計算した.極薄誘電体膜として0.5nm膜厚のTiO_2を使用するとTDTFTのI_<off>は従来型TFTより約6けた小さくなる.また,Si層膜厚を薄くしてもTFTの駆動力を向上させるダブルSOI(double silicon on insulator. DSOI)構造についても検討した.TDTFTをDSOI上に作製するとオンオフ比は従来型TFTより約数倍向上することを簡単な計算により示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-10-01
著者
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社フロンティアデバイス研究所
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大 工
-
松尾 直人
姫路工業大学大学院 姫路市
-
山本 暁徳
山口大学工学部
-
木原 洋幸
山口大学工学部電気電子工学科サブナノデバイス集積化物理研究室
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
浜田 弘喜
三洋電機株式会社 先進太陽光発電開発センター
-
山本 暁徳
山口大学工学部電気電子工学科
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