エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果 (有機エレクトロニクス)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 電子情報通信学会の論文
• 2010-04-23

著者

• 松尾 直人

  兵庫県立大学

• 部家 彰

  兵庫県立大学物質系

• 河本 直哉

  山口大学工学部電気電子工学科

• 山田 和史

  兵庫県立大学工学研究科

関連論文

• レーザ・プラズマ軟X線照射がエキシマ・レーザによるa-Si膜の結晶化に与える効果(シリコン関連材料の作製と評価)
• エキシマレーザアニーリングにより形成された多結晶シリコンの成長様式 : グレーン形状と水素の関係についての検討(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• ELA法によるポリシリコンの結晶成長について : 核形成と水素の関係
• 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• ELAポリシリコン薄膜の大粒径化 : 結晶成長と水素の関係(シリコン関連材料の作製と評価)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• 水素変調ドープa-Si膜のエキシマレーザアニーリング
• a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(シリコン関連材料の作製と評価)
• ダブルSOI上に形成したトンネル誘電体TFTのAM-OLED駆動回路への応用(半導体材料・デバイス)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 新構造TFTのAM-OLEDへの応用(シリコン関連材料の作製と評価)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• チャネル形成領域両端に極薄誘電体膜をもつ新たなTFTの提案と理論検討(半導体材料・デバイス)
• 多パルス照射エキシマレーザアニーリングにより形成したシリコン薄膜
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• エキシマ・レーザによるシリコン結晶化の現状と展望(有機El, TFT,及び一般)
• SPC、ELA連続処理により形成された多結晶シリコンの結晶成長(半導体Si及び関連材料・評価)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• ELA法により形成されたpoly-Si薄膜中の水素の挙動 : 下地SiN基板の水素分子濃度と結晶成長の関係(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン、化合物、有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ再結晶化におけるpoly-Si薄膜作製 : 両面核生成の効果(有機ELとTFT(シリコン,化合物,有機)及びディスプレイ技術)
• エキシマ・レーザ・アニールによる多結晶シリコンの結晶成長 : 水素と基板熱伝導度が臨界エネルギー密度に与える影響を考慮して
• エキシマレーザアニーリング時におけるディスク形状多結晶Si粒の形成(低温または高温多結晶Siとアクティブマトリックス型ディスプレイ用薄膜トランジスタ論文特集)
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• エキシマ・レーザ・アニーリングにより形成された再結晶化多結晶シリコンの応力緩和
• ELA法によりSiO_2/SiN/glass基板上に形成されたpoly-Si薄膜の結晶成長と水素の関係
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果 (有機エレクトロニクス)
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察 (有機エレクトロニクス)
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察 (シリコン材料・デバイス)
• アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜表面のSi原子移動
• エキシマレーザ・アニール法で形成した多結晶シリコン膜中のディスク状結晶粒の評価
• アンジュレータ光源を使用した軟X線励起によるa-Si膜中のSi原子移動(シリコン関連材料の作製と評価)
• 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• 原子状水素を利用したプラスチック基板の表面改質
• 加熱触媒体上で生成した原子状水素を用いたプラスチック基板の表面処理
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• 低温ELAプロセスにおいてa-Si膜中水素が結晶化に与える影響(薄膜(Si,化合物,有機)機能デバイス・材料・評価技術)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• エキシマレーザ・アニールpoly-Si膜のディスク状結晶粒成長における水素の効果(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 有機ELディスプレイ用水蒸気バリア膜の形成 : 低温触媒CVD装置の開発(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
• 固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
• レーザプラズマ軟X線照射により形成された擬似結晶核を介したa-Si膜の結晶化(シリコン関連材料の作製と評価)
• 原子状水素アニール処理によるペンタセンTFTの絶縁膜界面特性の向上(TFTの材料・デバイス技術・応用及び一般)
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• ソース・ドレーン領域に極薄SiN_x膜を形成したTFTドレーン電流の温度依存性(半導体材料・デバイス)
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察
• ペンタセンOTFTの膜質評価および電気伝導機構の考察
• Siゲートを持つDNA電界効果トランジスタに関する研究(シリコン関連材料の作製と評価)
• エキシマレーザ・アニールで作製した多結晶シリコン膜のディスク状結晶粒 : a-Si膜中の水素の影響
• DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性(シリコン関連材料の作製と評価)
• 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)
• DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性
• 軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)
• 軟X線源を用いた半導体薄膜の低温結晶化技術の開発
• MOS構造を有する太陽電池による変換効率の向上(シリコン関連材料の作製と評価)
• DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討(シリコン関連材料の作製と評価)
• 軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化
• 軟X線照射のみによる半導体非晶質膜の低温結晶化

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク