DNAを用いたメモリトランジスタのキャリア挙動の検討(シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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我々はSi基板を用いて100nm程度のギャップを持つ電極を作製し,電極間に固定されたDNAに電荷保持特性がある事を報告した.本研究では,DNAチャネル/SiO2/Si(ゲート)構造におけるキャリア挙動について調査し,以下のことが明らかになった.1) dID/dVD 特性が極値を示す事は,DNAにトラップされた電子がチャネル中電界によりデトラップされたことを示唆する.2) デトラップされる電子の数はリフレッシュ電圧の大きさ,又は,印加時間と密接に関係しており,電圧が大きい程,又,印加時間が長い程,デトラップ電子の数は多い.3) DNAのトラップ位置はグアニンの禁制帯内の価電子帯端に近い位置と考えられる.
- 2012-11-30
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
山名 一成
兵庫県立大学大学院工学研究科物質系工学専攻
-
山名 一成
兵庫県立大学物質系工学専攻
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学部
-
高田 忠雄
兵庫県立大学物質工学専攻
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
-
部家 彰
兵庫県立大学物質工学専攻
-
松尾 直人
兵庫県立大学物質工学専攻
-
前野 尚子
兵庫県立大学物質工学専攻
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