固体YAG2 ωグリーンレーザーによる再結晶化シリコン薄膜の解析(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
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概要
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アモルファス-Si (a-Si)を固体YAG2ωグリーンレーザにより結晶化した低温多結晶シリコン(polycrystalline silicon, poly-Si)薄膜の物理解析を行った。グレインサイズ、表面に垂直方向の結晶化率、及び、表面ラフネスがエネルギー密度に関して極値をもつ。熱勾配の大きさにより、グレインの優先成長を生じるという機構を考える事によりこの現象を説明できる。再結晶化膜に関し、レーザスキャン方向、スキャン垂直方向に測定されたTOフオノンピークの標準偏差はほぼ1cm^<-1>であった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-06-23
著者
-
原田 泰典
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
原田 泰典
兵庫県立大学
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
玉川 孝一
(株)アルバック
-
西森 才将
山口大学工学部
-
羽山 昌宏
(株)アルバック
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
河本 直哉
山口大 工
-
松尾 直人
山口大
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県大
-
原田 泰典
兵庫県立大学大学院
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