a-Si中の水素原子とエキシマ・レーザ結晶化 : 核形成・成長に大きな影響を与えるか?(<特集>シリコン関連材料の作製と評価)
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概要
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a-Si薄膜のエキシマ・レーザ結晶化において膜中の水素原子が核形成とその後の粒成長,更には,二次元結晶成長に大きな影響を及ぼす事を初めて見出した.核形成に関しては水素変調ドープ層を持つa-Si薄膜のエキシマ・レーザ結晶化(ELHMD; Excimer Laser Annealing of Hydrogen Modulation Doped a-Si Film)により核形成位置を制御でき高品質化を図れる.粒成長に関しては,二次元結晶粒径の寸法により,粒内,又は粒界の水素原子が粒界移動に影響を与える.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-07
著者
-
松尾 直人
兵庫県立大学
-
部家 彰
兵庫県立大学物質系
-
河本 直哉
山口大学工学部電気電子工学科
-
松尾 直人
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
松尾 直人
山口大 工
-
芹川 正
大阪大学接合科学研究所
-
河本 直哉
山口大学大学院理工学研究科
-
河本 直哉
山口大 工
-
河本 直哉
山口大学工学部
-
松尾 直人
兵庫県立大学工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院工学研究科
-
部家 彰
兵庫県立大学大学院
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